Quy trình 3nm Plus sẽ đem tới hiệu năng thực sự khác biệt cho thiết bị di động.
Apple A14, Samsung Exynos 1080, Kirin 9000, Snapdragon 888, … Tất cả những con chip này đều sử dụng công nghệ 5nm một là của TSMC và còn lại là của Samsung. Theo lộ trình hiện tại, 5nm sẽ được nâng cấp nhẹ vào năm sau còn 3nm sẽ phải đợi đến năm 2022. Tuy nhiên, TSMC chưa muốn dừng lại ở đó, họ có kế hoạch bắt đầu sản xuất phiên bản nâng cao 3nm Plus vào năm 2023. Không ngạc nhiên khi Apple vẫn sẽ là khách hàng đầu tiên.
Nếu quy tắc đặt tên của Apple không thay đổi, thì bộ xử lý A17 vào năm 2023 sẽ được sử dụng trên ‘iPhone 15’ và cả trên máy tính Mac với bộ vi xử lý M-series, khai tử hoàn toàn máy Mac chạy chip Intel.
Theo các tuyên bố trước đó, 3nm sẽ đạt được hiệu suất cải thiện 15%, giảm 30% điện năng tiêu thụ và tăng mật độ bóng bán dẫn lên 70%. Nhưng thông số cụ thể của 3nm Plus vẫn chưa rõ ràng.
Mặt khác, quy trình 3nm của TSMC vẫn sử dụng kiến trúc Fin-type Field-effect Transistor (FinFET) vốn được sử dụng phổ biến trong các tiến trình 3nm và 5nm hiện nay. Trong khi 3nm của Samsung sử dụng quy trình cổng vòm (GAA) tiên tiến hơn. Về vấn đề này, TSMC cho rằng quy trình FinFET hiện tại tốt hơn về chi phí và hiệu quả năng lượng. Như vậy, bộ chip 3nm đầu tiên vẫn sẽ sử dụng công nghệ bóng bán dẫn FinFET. Tuy vậy, Samsung cũng có cơ hội bứt lên nhờ quy trình tiên tiến hơn, giải quyết các hạn chế vật lý hiện tại do quy trình FinFET gây ra.
Vào tháng 4 , TSMC đã tiết lộ một số chi tiết về tiến trình 3nm sắp tới. Mật độ bóng bán dẫn đạt tới một kỷ lục mới, 250 triệu/mm². Để tham khảo, Kirin 990 5G với quy trình 7nm EUV của TSMC có kích thước 113,31mm², mật độ bóng bán dẫn là 10,3 tỷ, trung bình là 90 triệu / mm². Như vậy, mật độ bóng bán dẫn trên quy trình 3nm gấp 3,6 lần so với quy trình 7nm.
Theo Gizchina
